ข้อมูลส่วนที่ 1

เลขที่คำขอ : 1903000740

วันที่ขอ : 26 Mar 2562

วันที่รับคำขอ : 26 Mar 2562

เลขที่ประกาศ : 18744

วันที่ประกาศ : 25 Nov 2564

เล่มที่ประกาศ : 11 / 2564

เลขที่สิทธิบัตร : 18744

วันที่จดทะเบียน : 25 Nov 2564

เอกสารประกาศโฆษณา : Download File

เอกสารคำขอ ณ วันประกาศโฆษณา Download File

ข้อมูลส่วนที่ 2

ผู้ขอจดทะเบียนสิทธิบัตร : มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีราชมงคลธัญบุรี

ตัวแทน :

ผู้ประดิษฐ์/ออกแบบ : นายฉัตรชัย พลเชี่ยว

ชื่อผลิตภัณฑ์/สิ่งประดิษฐ์ : กรรมวิธีการเตรียมแผ่นฟิล์มบางทองแดงออกไซด์ด้วยวิธีอโนไดเซชันสำหรับการกำจัดไนไตรท์

สถานะสุดท้าย : ประกาศโฆษณาคำขอรับสิทธิบัตร

วันที่ตามสถานะ : 25 Nov 2564

IPC/ID

C25D 11/00

บทสรุปการประดิษฐ์ซึ่งจะปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา Read File : ------20/03/2563------(OCR) หน้า 1 ของจำนวน 1 หน้า บทสรุปการประดิษฐ์ กรรมวิธีการเตรียมแผ่นฟิล์มบางทองแดงออกไซด์ด้วยวิธีอโนไดซ์เซชันสำหรับการกำจัดไนไตรท์ ตาม การประดิษฐ์นี้ ประกอบด้วย การตรึงสารกึ่งตัวนำทองแดงออกไซด์ (Cupric oxide, Cu2O) ลงบนแผ่นรองรับ ที่เป็นโลหะทองแดง ด้วยวิธีการทางเคมีไฟฟ้าที่เรียกว่าการอโนไดเซชัน (Anodization) โดยการควบคุม ค่ากระแสให้คงที่กับแผ่นทองแดงที่จุ่มอยู่ในสารละลายอิเล็กโทรไลด์ เพื่อนำไปประยุกต์ใช้เป็นขั้วไฟฟ้าแคโทด สำหรับการกำจัดไนไตรท์ภายใต้การเร่งด้วยแสงและศักย์ไฟฟ้าที่เรียกว่าเทคนิค โฟโตอิเล็กโตรคะตะไลติก(Photoelectrocatalytic : PEC) เพื่อเป็นการพัฒนาการเตรียมฟิล์มบางสารกึ่งตัวนำขั้วไฟฟ้าแคโทดให้มี ประสิทธิภาพสูงในการเกิดปฏิกิริยารีดักชันสารประกอบไนไตรท์ และสามารถขยายขนาดสเกลได้ง่าย เพื่อ นำไปประยุกต์ใช้กับการบำบัดนํ้าเสียที่มีสารไนไตรท์ปนเปื้อนด้วยหลักการโฟโตอิเล็กโตรคะตะไลติก ------------ หน้า 1 ของจำนวน 1 หน้า บทสรุปการประดิษฐ์ กรรมวิธีการเตรียมแผ่นฟิล์มบางทองแดงออกไซด์ด้วยวิธีอโนไดซ์เซชันสำหรับการกำจัดไนไตรท์ ตาม การประดิษฐ์นี้ ประกอบด้วย การตรึงสารกึ่งตัวนำทองแดงออกไซด์ (Cupric oxide, Cu2O) ลงบนแผ่นรองรับ ที่เป็นโลหะทองแดง ด้วยวิธีการทางเคมีไฟฟ้าที่เรียกว่าการอโนไดเซชัน (Anodization) โดยการควบคุม ค่ากระแสให้คงที่กับแผ่นทองแดงที่จุ่มอยู่ในสารละลายอิเล็กโทรไลต์ เพื่อนำไปประยุกต์ใช้เป็นขั้วไฟฟ้าแคโทด สำหรับการกำจัดไนไตรท์ภายใต้การเร่งด้วยแสงและศักย์ไฟฟ้าที่เรียกว่าเทคนิค โฟโตอิเล็กโตรคะตะไลติก (Photoelectrocatalytic : PEC) เพื่อเป็นการพัฒนาการเตรียมฟิล์มบางสารกึ่งตัวนำขั้วไฟฟ้าแคโทดให้มี ประสิทธิภาพสูงในการเกิดปฏิกิริยารีดักชันสารประกอบไนไตรท์ และสามารถขยายขนาดสเกลได้ง่าย เพื่อ นำไปประยุกต์ใช้กับการบำบัดนํ้าเสียที่มีสารไนไตรท์ปนเปื้อนด้วยหลักการโฟโตอิเล็กโตรคะตะไลติก

ข้อถือสิทธิ์ (ข้อที่หนึ่ง) ซึ่งจะปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : ------20/03/2563------(OCR) หน้า 1 ของจำนวน 2 หน้า ข้อถือสิทธิ1. กรรมวิธีการเตรียมแผ่นฟิล์มบางทองแดงออกไซด์ด้วยวิธีอโนไดซ์เซชันสำหรับการกำจัดไนไตรท์ มีขั้นตอนดังนี้ขั้นตอนที่ 1 การทำความสะอาดแผ่นทองแดง 1.1 ตัดแผ่นทองแดงที่ใช้เป็นแผ่นรองรับให้มีลักษณะสี่เหลี่ยม จากนั้นทำความสะอาดด้วยสารซักฟอก (Detergent) เช็ดด้วยน้ำกลั่น จากนั้นเช็ดให้แห้ง 1.2 นำแผ่นทองแดงมาเตรียมผิวหน้าใ

แท็ก :

สถานะคำขอ

ข้อมูลส่วนที่ 3

เอกสารข้อถือสิทธิ์ Read File

หนังสือสำคัญจดทะเบียน Read File

เอกสารรายละเอียดการประดิษฐ์ Read File

ภาพเขียนRead File

ข้อถือสิทธฺ์ (ทั้งหมด) ซึ่งจะไม่ปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา :

------20/03/2563------(OCR) หน้า 1 ของจำนวน 2 หน้า ข้อถือสิทธิ1. กรรมวิธีการเตรียมแผ่นฟิล์มบางทองแดงออกไซด์ด้วยวิธีอโนไดซ์เซชันสำหรับการกำจัดไนไตรท์ มีขั้นตอนดังนี้ขั้นตอนที่ 1 การทำความสะอาดแผ่นทองแดง 1.1 ตัดแผ่นทองแดงที่ใช้เป็นแผ่นรองรับให้มีลักษณะสี่เหลี่ยม จากนั้นทำความสะอาดด้วยสารซักฟอก (Detergent) เช็ดด้วยน้ำกลั่น จากนั้นเช็ดให้แห้ง 1.2 นำแผ่นทองแดงมาเตรียมผิวหน้าให้เหมาะสมโดยการสั่นด้วยเครื่องสั่นความถี่สูง (Ultra-sonicate) ในสารละลายโซเดียมไฮดรอกไซด์ (Sodium hydroxide, NaOH) ที่ความเข้มข้น 1 โมลต่อลิตรเป็นเวลา 30 นาที และในน้ำกลั่นเป็นเวลา 10 นาที จากนั้นสั่นต่อด้วยเครื่องสั่นความถี่สูง (Ultra-sonicate)ในสารละลายกรดไนตริก (Nitric acid, HNO3) อัตราส่วน 1:10 เป็นเวลา 30 นาที และในน้ำกลั่นเป็นเวลา 10นาที จะได้แผ่นทองแดงที่สะอาดและมีพื้นที่ผิวเหมาะสมกับการทำอโนไดเซชันขั้นตอนที่ 2 การตรึงทองแดงออกไซด์ด้วยเทคนิคอโนไดเซชัน 2.1 ต่อแผ่นทองแดง (2) ที่ทำความสะอาดเรียบร้อยแล้ว กับขั้วไฟฟ้าบวก และต่อแผ่นทองแดง(3)กับขั้วไฟฟ้าลบ โดยแผ่นทองแดง (3) จะมีขนาดใหญ่โค้งล้อมรอบแผ่นทองแดง (2) ซึ่งจะจุ่มแผ่นทองแดงทั้งสอง ลงในสารละลายอิเล็กโทรไลด์ (4) (Electrolyte solution) ปริมาตร100 มิลลิลิตร ที่ซึ่งสารละลายอิเล็กโทรไลต์มีส่วนผสมของโซเดียมไอดรอกไซด์ (Sodium hydroxide, NaOH) ความเข้มข้น 1 โมลต่อลิตรโซเดียมคลอไรด์ (Sodium Chloride, NaCl) เข้มข้น 2.5 โมลต่อลิตร และ เอทีลีนไกลคอล (Ethyleneglycol) ปริมาตร 1 มิลลิลิตร ควบคุมอุณหภูมิสารละลายให้คงที่ ที่ 80 องศาเซลเซียสด้วยเตาไฟฟ้า (5) (hotplate) โดยควบคุมกระแสให้คงที่ ที่ 1 แอมแปร์ ด้วยเครื่องควบคุมค่ากระแส (1) เป็นเวลา 20 นาที ซึ่งจะเกิดทองแดงออกไซด์(Cupric oxide, Cu2O) เคลือบที่ผิวหน้าทั้งสองด้านของแผ่นทองแดง (2) จากนั้นนำไปเผาที่อุณหภูมิ 500 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 1 ชั่วโมง 2.2 ต่อสายไฟและปิดทับด้วยอิพอกซีเรซิ่น (Epoxy resin) รอให้แห้ง จะได้ขั้วไฟฟ้าทองแดงออกไซด์(Cupric oxide, Cu2O) แล้วนำไปศึกษาคุณสมบัติต่าง ทั้งด้านการดูดกลืนแสง โครงสร้างผลึก สัณฐานวิทยาและสมบัติโฟโตอิเล็กโตรคะตะไลติก (Photoelectrocatalytic properties) สำหรับการกำจัดไนไตรท์ขั้นตอนที่ 3 การเตรียมขั้วไฟฟ้าทังสเตนออกไซด์/บิสมัทวานาเดต (Tungsten oxide/Bismuth vanadate,WO3/BiVO4) ด้วยวิธีการจุ่มเคลือบ (Dip coating method) โดยนำกระจกนำไฟฟ้าฟลูออรีนโดปทินออกไซด์(Fluorine doped tin oxide; FTO) ที่ทำความสะอาดแล้วไปจุ่มสารละลายทังสะเตนออกไซด์ (Tungstenoxide, WO3) ความเข้มข้น 0.1 โมลต่อลิตร แล้วนำมาอบที่อุณหภูมิ 150 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 5 นาทีจากนั้นนำขั้วไฟฟ้าที่เย็นลงแล้วไปจุ่มสารละลายบิสมัทวานาเดต (Bismuth vanadate, BiVO4) ความเข้มข้น0.1 โมลต่อลิตร แล้วนำมาอบที่อุณหภูมิ 150 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 5 นาที จากนั้นนำไปเผาที่อุณหภูมิ 550องศาเซลเซียส เป็นเวลา 60 นาที รอให้ขั้วไฟฟ้าให้เย็นลง จากนั้นต่อสายไฟและปิดทับด้วยอีพอกซีเรซิ่น หน้า 2 ของจำนวน 2 หน้า(Epoxy resin) และรอให้แห้ง จะได้ขั้วไฟฟ้า FTO/WO3/BiVO4 เพื่อใช้ทำเป็นขั้วไฟฟ้าแอโนด(Anodeelectrode) ต่อไป 2. การใช้แผ่นฟิล์มบางทองแดงออกไซด์ที่เตรียมได้จากกรรมวิธีในข้อถือสิทธิ 1 เป็นขั้วไฟฟ้าทองแดงออกไซด์สำหรับการกำจัดไนไตรท์ มีขั้นตอนดังนี้ นำขั้วไฟฟ้าทองแดงออกไซด์ที่เตรียมได้ประกอบกับเซลล์โฟโตอิเล็กโตรคะตะไลติก (Photoelectrocatalytic cell) โดยต่อขั้วทองแดงออกไซด์ (3) (Cupric oxide, Cu2O) เข้ากับขั้วไฟฟ้าลบ และ ขั้วไฟฟ้าทังสเตนออกไซด์/บิสมัทวานาเดต (2) (Tungsten oxide/Bismuth vanadate,WO3/BiVO4 เข้ากับขั้วไฟฟ้าบวก ภายใต้สภาวะเร่งด้วยแสงจากหลอดไฟ (5) และควบคุมศักย์ไฟฟ้าเท่ากับ1.0 โวลต์ ด้วยเครื่องควบคุมศักย์ไฟฟ้า (1) ในสารละลายอิเล็กโทรไลด์ (4) (Electrolyte solution) โซเดียม คลอไรด์ (Sodium Chloride, NaCl) ความเข้มข้น 0.1 โมลต่อลิตร และสารละลายไนไตรท์ (Nitrite solution) ความเข้มข้น 1.5 มิลลิกรัมต่อลิตร ติดตามความเข้มข้นของสารละลายไนไตรท์ (Nitrite solution) เพื่อทดสอบประสิทธิภาพการกำจัดที่เวลาต่างๆ ด้วยการตรวจวัดค่าการดูดกลืนแสงด้วยเครื่องยูวีวิสิเบิลสเปกโทรโฟโตมิเตอร์ (UV/Vis spectrophotometer)3. การใช้แผ่นฟิล์มบางทองแดงออกไซด์ที่เตรียมได้จากกรรมวิธีในข้อถือสิทธิ 1 หรือ 2 เป็นขั้วไฟฟ้าทองแดงออกไซด์สำหรับการกำจัดไนไตรท์ ที่ซึ่งสภาวะที่ดีที่สุดในการเกิดปฏิกิริยาการกำจัดไนไตรท์ในสารละลายน้ำคือ จุ่มแผ่นทองแดงที่ทำความสะอาดเรียบร้อยแล้วในสารละลายอิเล็กโทรไลต์ปริมาตร 100 มิลลิลิตร ที่ซึ่งสารละลายอิเล็กโทรไลต์มีมีส่วนผสมของโซเดียมไฮดรอกไซด์ (Sodium hydroxide, NaOH) ความเข้มข้น 1โมลต่อลิตร โซเดียมคลอไรด์ (Sodium Chloride, NaCl) เข้มข้น 2.5 โมลต่อลิตร และ เอทิลีนไกลคอล(Ethylene glycol) ปริมาตร 1 มิลลิลิตร ควบคุมอุณหภูมิสารละลายให้คงที่ ที่ 80 องศาเซลเซียส ควบคุมกระแสให้คงที่ ที่ 1 แอมแปร์ เป็นเวลา 20 นาที จากนั้นนำไปเผาที่อุณหภูมิ 500 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 1ชั่วโมง แล้วนำไปประกอบกับเซลล์โฟโตอิเล็กโตรคะตะไลติกโดยต่อขั้วไฟฟ้าทองแดงออกไซด์ที่ขั้วไฟฟ้าลบและขั้วไฟฟ้าทังสเตนออกไซด์/บิสมัทวานาเดตกับขั้วไฟฟ้าบวก ภายใต้สภาวะเร่งด้วยแสงจากหลอดไฟและควบคุมค่าศักย์ไฟฟ้าเท่ากับ 1.0 โวลต์ ในสารละลายอิเล็กโทรไลด์โซเดียมคลอไรด์ความเข้มข้น 0.1 โมลต่อลิตร ------------ หน้า 1 ของจำนวน 2 หน้า ข้อถือสิทธิ 1. กรรมวิธีการเตรียมแผ่นฟิล์มบางทองแดงออกไซด์ด้วยวิธีอโนไดซ์เซชันสำหรับการกำจัดไนไตรท์ มีขั้นตอน ดังนี้ 1. การทำความสะอาดแผ่นทองแดง a. ตัดแผ่นทองแดงที่ใช้เป็นแผ่นรองรับให้มีลักษณะสี่เหลี่ยม จากนั้นทำความสะอาดด้วยสาร ซักฟอก (Detergent) เช็ดด้วยน้ำกลั่น จากนั้นเช็ดให้แห้ง b. นำแผ่นทองแดงมาเตรียมผิวหน้าให้เหมาะสมโดยการสั่นด้วยเครื่องสั่นความถี่สูง (Ultra? sonicate) ในสารละลายโซเดียมไฮดรอกไซด์ (Sodium hydroxide, NaOH) ที่ความเข้มข้น 1 โมลต่อลิตร เป็นเวลา 30 นาที และในน้ำกลั่นเป็นเวลา 10 นาที จากนั้นสั่นต่อด้วยเครื่องสั่นความถี่สูง (Ultra-sonicate) ในสารละลายกรดไนตริก (Nitric acid, HNO3) อัตราส่วน 1:10 เป็นเวลา 30 นาที และในน้ำกลั่นเป็นเวลา 10 นาที จะได้แผ่นทองแดงที่สะอาดและมีพื้นที่ผิวเหมาะสมกับการทำอโนไดเซชัน 2.ขั้นตอนการตรึงทองแดงออกไซด์ด้วยเทคนิคอโนไดเซชัน 2.1) ตามรายละเอียดรูปที่ 1 ต่อแผ่นทองแดง(2) ที่ทำความสะอาดเรียบร้อยแล้ว กับขั้วไฟฟ้าบวก และต่อแผ่นทองแดง(3) กับขั้วไฟฟ้าลบ โดยแผ่นทองแดง(3) จะมีขนาดใหญ่โค้งล้อมรอบแผ่นทองแดง(2) ดัง แสดงในรูป ซึ่งจะจุ่มแผ่นทองแดงทั้งสอง ลงในสารละลายอีเล็กโทรไลด์ (4) (Electrolyte solution) ที่มี ส่วนผสมของโซเดียมไฮดรอกไซด์ (Sodium hydroxide, NaOH) ความเข้มข้น 1 โมลต่อลิตร โซเดียมคลอไรด์ (Sodium Chloride, NaCl) เข้มข้น 2.5 โมลต่อลิตร และ เอทิลีนไกลคอล (Ethylene glycol) อัตราส่วน 1:100 ควบคุมอุณหภูมิสารละลายให้คงที่ ที่ 80 องศาเซลเซียสด้วยเตาไฟฟ้า (5) (hot plate) โดยควบคุม กระแสให้คงที่ ที่ 1 แอมแปร์ ด้วยเครื่องควบคุมค่ากระแส (1) เป็นเวลา 20 นาที ซึ่งจะเกิดทองแดงออกไซด์ (Cupric oxide, Cu2O) เคลือบที่ผิวหน้าทั้งสองด้านของแผ่นทองแดง(2) จากนั้นนำไปเผาที่อุณหภูมิ 500 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 1 ชั่วโมง 2.2) ต่อสายไฟและปิดทับด้วยอีพอกซีเรซิ่น (Epoxy resin) รอให้แห้ง จะได้ขั้วไฟฟ้าทองแดงออกไซด์ (Cupric oxide, Cu2O) แล้วนำไปศึกษาคุณสมบัติต่าง ทั้งด้านการดูดกลืนแลง โครงสร้างผลึก สัณฐานวิทยา และสมบัติโฟโตอีเล็กโตรคะตะไลติก (Photoelectrocatalytic properties) สำหรับการกำจัดไนไตรท์ 3. การเตรียมขั้วไฟฟ้าทังสเตนออกไซด์/บิสมัทวานาเดต (Tungsten oxide/Bismuth vanadate, WCVBiVOa) ด้วยวิธีการจุ่มเคลือบ (Dip coating method) โดยนำกระจกนำไฟฟ้าฟลูออรีนโดปทินออกไซด์ (Fluorine doped tin oxide; FTO) ที่ทำความสะอาดแล้วไปจุ่มสารละลายทังสะเตนออกไซด์ (Tungsten oxide, WO3) ความเข้มข้น 0.1 โมลต่อลิตร แล้วนำมาอบที่อุณหภูมิ 150 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 5 นาที จากนั้นนำขั้วไฟฟ้าที่เย็นลงแล้วไปจุ่มสารละลายบิสมัทวานาเดต (Bismuth vanadate, BiVO4) ความเข้มข้น 0.1 โมลต่อลิตร แล้วนำมาอบที่อุณหภูมิ 150 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 5 นาที จากนั้นนำไปเผาที่อุณหภูมิ 550 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 60 นาที รอให้ขั้วไฟฟ้าให้เย็นลง จากนั้นต่อสายไฟและบิดทับด้วยอีพอกซีเรซิ่น (Epoxy resin) และรอให้แห้ง จะได้ขั้วไฟฟ้า FT0/W03/BiVO4 เพื่อใช้ทำเป็นขั้วไฟฟ้าแอโนด(Anode electrode) ต่อไป หน้า 2 ของจำนวน 2 หน้า 3. ขั้นตอนการประยุกต์ใช้ขั้วไฟฟ้าทองแดงออกไซด์ที่ได้พัฒนาขึ้นกับการกำจัดไนไตรท์ นำขั้วไฟฟ้าทองแดงออกไซด์ที่เตรียมได้ประกอบกับเซลล์โฟโตอิเล็กโตรคะตะไลติก (Photoelectrocatalytic cell) ดังแสดงในรูปที่ 2 โดยต่อขั้วทองแดงออกไซด์(3) (Cupric oxide, Cu2O) เข้า กับขั้วไฟฟ้าลบ และ ขั้วไฟฟ้าทังสเตนออกไซด์/บิสมัทวานาเดต (2) (Tungsten oxide/Bismuth vanadate, W03/BiVO4) เข้ากับขั้วไฟฟ้าบวก ภายใต้สภาวะเร่งด้วยแสงจากหลอดไฟ (5) และควบคุมศักย์ไฟฟ้าเท่ากับ 1.0 โวลต์ ด้วยเครื่องควบคุมศักย์ไฟฟ้า (1) ในสารละลายอิเล็กโทรไลต์ (4) (Electrolyte solution) โซเดียม คลอไรด์ (Sodium Chloride, NaCl) ความเข้มข้น 0.1 โมลต่อลิตร และสารละลายไนไตรท์ (Nitrite solution) ความเข้มข้น 1.5 มิลลิกรัมต่อลิตร ติดตามความเข้มข้นของสารละลายไนไตรท์ (Nitrite solution) เพื่อทดสอบ ประสิทธิภาพการกำจัดที่เวลาต่างๆ ด้วยการตรวจวัดค่าการดูดกลืนแสงด้วยเครื่องยูวีวิสิเบิลสเปกโทรโฟโต มิเตอร์ (UV/Vis spectrophotometer) 2. การเตรียมขั้วไฟฟ้าทองแดงออกไซด์ออกไซด์ ด้วยเทคนิคอโนไดเซชัน ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งสภาวะที่ดีที่สุด ในการเกิดปฏิกิริยาการกำจัดไนไตรท์ในสารละลายน้ำ คือ จุ่มแผ่นทองแดงที่ทำความสะอาดเรียบร้อยแล้วใน สารละลายผสมของโซเดียมไฮดรอกไซด์ความเข้มข้น 1 โมลต่อลิตร โซเดียมคลอไรด์เข้มข้น 2.5 โมลต่อลิตร และเอทิลีบไกลคอล อัตราส่วน 1:100 ควบคุมอุณหภูมิสารละลายให้คงที่ ที่ 80 องศาเซลเซียส ควบคุมกระแส ให้คงที่ ที่ 1 แอมแปร์ เป็นเวลา 20 นาที จากนั้นนำไปเผาที่อุณหภูมิ 500 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 1 ชั่วโมง แล้วนำไปประกอบกับเซลล์โฟโตริเล็กโตรคะตะไลติกโดยต่อขั้วไฟฟ้าทองแดงออกไซด์ที่ขั้วไฟฟ้าลบและ ขั้วไฟฟ้าทังสเตนออกไซด์/บิสมัทวานาเดตกับขั้วไฟฟ้าบวก ภายใต้สภาวะเร่งด้วยแสงจากหลอดไฟและควบคุม ค่าศักย์ไฟฟ้าเท่ากับ 1.0โวลต์ ในสารละลายริเล็กโทรไลต์โซเดียมคลอไรด์ความเข้มข้น 0.1โมลต่อลิตร