ข้อมูลส่วนที่ 1

เลขที่คำขอ : 1903000846

วันที่ขอ : 09 Apr 2562

วันที่รับคำขอ : 09 Apr 2562

เลขที่ประกาศ : 18344

วันที่ประกาศ : 11 Oct 2564

เล่มที่ประกาศ : 10 / 2564

เลขที่สิทธิบัตร : 18344

วันที่จดทะเบียน : 11 Oct 2564

เอกสารประกาศโฆษณา : Download File

เอกสารคำขอ ณ วันประกาศโฆษณา Download File

ข้อมูลส่วนที่ 2

ผู้ขอจดทะเบียนสิทธิบัตร : มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีราชมงคลธัญบุรี

ตัวแทน :

ผู้ประดิษฐ์/ออกแบบ : นายฉัตรชัย พลเชี่ยว

ชื่อผลิตภัณฑ์/สิ่งประดิษฐ์ : กระบวนการพัฒนาเซลล์โฟโตอิเล็กโตรคะตะไลติกสำหรับเพิ่มปริมาณออกซิเจน และกำจัดเชื้อจุลินทรีย์ในน้ำ

สถานะสุดท้าย : ประกาศโฆษณาคำขอรับสิทธิบัตร

วันที่ตามสถานะ : 14 Oct 2564

IPC/ID

C25B 1/04

C02F 1/46

บทสรุปการประดิษฐ์ซึ่งจะปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา Read File : หน้า 1 ของจำนวน 1 หน้า บทสรุปการประดิษฐ์ กระบวนการพัฒนาเซลล์โฟโตอิเล็กโตรคะตะไลติกสำหรับเพิ่มปริมาณออกซิเจน และกำจัด เชื้อจุลินทรีย์ในนํ้าตามการประดิษฐ์นี้ ประกอบด้วย การตรึงสารกึ่งตัวนำทังสเตนออกไดซ์ (Tungsten oxide: WO3) ลงบนแผ่นรองรับที่เป็นกระจกนำไฟฟ้า (Fluorine doped tin oxide: FTO) โดยใช้วิธีการตรึงทาง เคมีไฟฟ้า (Electrodeposition) โดยการควบคุมค่าศักย์ไฟฟ้าคงที่ในสารละลายอิเล็กโทรไลต์ แล้วนำไปเผาที่ อุณหภูมิสูง จากนั้นนำไปจุ่มเคลือบ (Dip coating) ด้วยบิสมัทวานาเดต (Bismuth vanadate: BiVO4) ลงบน ผิวหน้าขั้วไฟฟ้าทังสเตนออกไซด์ (Tungsten oxide: WO3) แล้วนำไปเผาที่อุณหภูมิสูง จะได้ขั้วไฟฟ้าทังสเตน ออกไซด์บิสมัทวานาเดต (Tungsten oxide/Bismuth vanadate : WCVBiVOa) เพื่อนำไปประยุกต์ใช้เป็น ขั้วไฟฟ้าแอโนดสำหรับการผลิตออกซิเจนและกำจัดเชื้อจุลินทรีย์ภายใต้การเร่งด้วยแสงและศักย์ไฟฟ้าที่ เรียกว่าเทคนิค โฟโตอิเล็กโตรคะตะไลติก (Photoelectrocatalytic: PEC)โดยความมุ่งหมายของการประดิษฐ์ นี้ เพื่อพัฒนาการเตรียมฟิล์มบางสารกึ่งตัวนำขั้วไฟฟ้าแอโนดให้มิประสิทธิภาพสูงในการเกิดปฏิกิริยา ออกซิเดชันน้ำให้กลายเป็นออกซิเจนและกำจัดเชื้อจุลินทรีย์ เพื่อนำไปประยุกต์ใช้กับการบำบัดนํ้าเสียต่อไป

ข้อถือสิทธิ์ (ข้อที่หนึ่ง) ซึ่งจะปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : ------22/11/2562------(OCR)                                                   หน้า 1 ของจำนวน 2 หน้า                          

แท็ก :

สถานะคำขอ

ข้อมูลส่วนที่ 3

เอกสารข้อถือสิทธิ์ Read File

หนังสือสำคัญจดทะเบียน Read File

เอกสารรายละเอียดการประดิษฐ์ Read File

ภาพเขียนRead File

ข้อถือสิทธฺ์ (ทั้งหมด) ซึ่งจะไม่ปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา :

------22/11/2562------(OCR)                                                   หน้า 1 ของจำนวน 2 หน้า                                                             ข้อถือสิทธิ 1. กระบวนการพัฒนาเซลล์โฟโตอิเล็กโตรคะตะไลติกสำหรับเพิ่มปริมาณออกซิเจน และกำจัดเชื้อจุลินทรีย์ในน้ำ มีขั้นตอนดังนี้ ก.  การเตรียมฟิล์มบางทังสเตนออกไซด์ (Tungsten oxide: WO3) บนกระจกนำไฟฟ้า ด้วยเทคนิคการตรึงเคมีไฟฟ้า           ใข้กระจกนำไฟฟ้า (Fluorine doped tin oxide: FTO) ที่แห้งและสะอาด เป็นขั้วไฟฟ้าทำงานขั้วไฟฟ้าซิลเวอร์/ซิลเวอริคลอไรด์ (Silver/Silver Chloride: Ag/AgCl) เป็นขั้วไฟฟ้าอ้างอิง และแท่งแพลทินัม(Platinum: Pt) เป็นขั้วไฟฟ้าช่วย โดยจุ่มขั้วไฟฟ้าทั้งสามในสารละลายเพอรอกโซทังสเตท(Peroxotungstate) ซึ่งเตรียมได้จากการผสมกันของสารละลายโซเดียมทังสเตท (Sodium tungstate;Na2WO4) ความเข้มข้น 0.025 โมลต่อลิตร กับ สารละลายไฮโดรเจนฟอร์ออกไซด์ความเข้มข้น 30% โดยปริมาตร (Hydrogen peroxide : H2O2 30% V/V) และปรับค่าพีเอชเป็น 0.8 ด้วยกรดไนตริกเข้มข้น(Nitric acid: HNO3) จะได้สารละลายเพอรอกโซทังสเตทและทำการตรึงด้วยเทคนิคแฮมเพอโรเมตรี(Amperometry) โดยการควบคุมค่าคักย์ไฟฟ้าคงที่ที่ -0.5 โวลต์ เป็นเวลา 30 นาที จากนั้นนำขั้วไฟฟ้าไปเผาที่อุณหภูมิ 500 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 1 ชั่วโมง จะได้ขั้วไฟฟ้าทังสเตนออกไซด์บนกระจกนำไฟฟ้า(Tungsten oxide: WO3) ข.  การเตรียมฟิล์มบางบิสมัทวานาเดต (Bismuth vanadate: BiVO4) บนผิวทังสเตนออกไซด์ ด้วยเทคนิคการจุ่มเคลือบ           เริ่มจากการเตรียมสารละลายบิสมัทไนเตรท เพนตะไฮเดรท (Bismuth nitrate penta hydrate:(Bi(NO3)35H2O) ความเข้มข้น 0.2 โมลต่อลิตร ในกรดอะซิติก (Acetic acid) ผสมกับสารละลายวานาดิลอะเซททิลอะซิโตเนท (Vanadyl Acetylacetonate: C10H14O5V) ความเข้มข้น 0.2 โมลต่อลิตร ในสารละลายอะเซททิลอะซิโตน (Acetyl acetone: C5H8O2 ) จากนั้นนำขั้วไฟฟ้าทังสเตนออกไซด์ (Tungstenoxide :WO3) ที่เตรียมได้จากข้อ 1 มาจุ่มเคลือบลงในสารละลายที่เตรียมได้ดังกล่าว แล้วอบที่อุณหภูมิ 150องศาเซลเซียส จากนั้นนำไปเผาที่อุณหภูมิ 500 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 1 ชั่วโมง จะได้ขั้วไฟฟ้าทังสเตนออกไซด์/บิสมัทวานาเดต บนกระจกนำไฟฟ้า (Tungsten oxide/Bismuth vanadate:WC3/BiVO4) ตามต้องการ ค.  ขั้นตอนการประกอบเซลล์โฟโตอิเล็กโตรคะตะไลติกสำหรับการผลิตออกซิเจนและกำจัดเชื้อจุลินทรีย์           การต่อขั้วไฟฟ้าทังสเตนออกไซด์/บิสมัทวานาเดต (1) ที่ขั้วไฟฟ้าบวก (ขั้วไฟฟ้าแอโนด) ต่อขั้วไฟฟ้าทองเหลือง (2) ที่ขั้วไฟฟ้าลบ (ขั้วไฟฟ้าแคโทด) ให้แสงที่ขั้วไฟฟ้าแอโนดด้วยหลอดไฟ (3) ควบคุมค่าศักย์ไฟฟ้าคงที่ที่ 4 โวลต์ด้วยเครื่องกำเนิดศักย์ไฟฟ้า (4) ในสารละลายอิเล็กโตรไลต์ (5) 2. กระบวนการพัฒนาเซลล์โฟโตอิเล็กโตรคะตะไลติกสำหรับเพิ่มปริมาณออกซิเจน และกำจัดเชื้อจุลินทรีย์ในน้ำ ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่ง สภาวะที่เหมาะสมในการเตรียมขั้วไฟฟ้าทังสะเตนออกไซด์ (Tungsten oxide:WO3) บนกระจกนำไฟฟ้า (Fluorine doped tin oxide: FTO) ด้วยวิธีทางเคมีไฟฟ้า โดยการควบคุมศักย์ไฟฟ้าคงที่ ที่ -0.5 โวลต์เป็นเวลา 30 นาที แล้วนำไปเผาที่อุณหภูมิ 500 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 1 ชั่วโมง                                                   หน้า 2 ของจำนวน 2 หน้า จากนั้นนำขั้วไฟฟ้าที่ได้จากการเผาเรียบร้อยแล้วไปจุ่มในสารละลายบิสมัทวานาเดต (Bismuth vanadate:BiVO4) ความเข้มข้น 0.1 โมลต่อลิตร จำนวน 1 รอบ จากนั้นนำไปอบที่อุณหภูมิ 150 องศาเซลเซียสเป็นเวลา5 นาทีแล้วนำไปเผาที่อุณหภูมิ 500 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 1 ชั่วโมง จะได้ขั้วไฟฟ้าทังสเตนออกไซด์/บิสมัทวานาเดต (Tungsten oxide/Bismuth vanadate: WC3/BiVO4) เพื่อนำไปใช้เป็นขั้วไฟฟ้าแอโนดในเซลล์ โฟโตอิเล็กโตรคะตะไลติก โดยต่อร่วมขั้วขั้วไฟฟ้าแคโทดทองเหลือง ควบคุมศักย์ไฟฟ้าที่ 4 โวลต์ ภายใต้การกระตุ้นด้วนแสงช่วงตามองเห็นที่ขั้วไฟฟ้าแอโนด ------------                                 หน้า 1 ของจำนวน 2 หน้า                                             ข้อถือสิทธิ 1. กระบวนการพัฒนาเซลล์โฟโตอิเล็กโตรคะตะไลติกสำหรับเพิ่มปริมาณออกซิเจน และกำจัดเชื้อจุสินทรีย์ใน น้ำ มีขั้นตอนดังนี้ 1.1 การเตรียมฟิล์มบางทังสเตนออกไซด์ (Tungsten oxide: WO3) บนกระจกนำไฟฟ้า ด้วยเทคนิคการตรึง เคมีไฟฟ้า                    ใช้กระจกนำไฟฟ้า (Fluorine doped tin oxide: FTO)แห้งและสะอาด เป็นขั้วไฟฟ้าทำงาน ขั้วไฟฟ้าซิลเวอร์/ซิลเวอร์คลอไรด์ (Silver/Silver Chloride: Ag/AgCl) เป็นขั้วไฟฟ้าอ้างอิง และแท่งแพลทินัม (Platinum: Pt) เป็นขั้วไฟฟ้าช่วย โดยจุ่มขั้วไฟฟ้าทั้งสามในสารละลายเพอรอกโซทังสเตท (Peroxotungstate) ซึ่งเตรียมได้จากการผสมกันของสารละลายโซเดียมทังสเตท (Sodium tungstate; Na2WO4) ความเข้มข้น 0.025 โมลต่อลิตร กับ สารละลายไฮโดรเจนเปรร์ออกไซด์ความเข้มข้น 30% โดย ปริมาตร (Hydrogen peroxide : H2O2 30% V/V) และปรับค่าพีเอชเป็น 0.8 ด้วยกรดไนตริกเข้มข้น (Nitric acid: HNO3) จะได้สารละลายเพอรอกโซทังสเตทและทำการตรึงด้วยเทคนิคแอมเพอโรเมตรี (Amperometry) โดยการควบคุมค่าศักย์ไฟฟ้าคงที่ที่ -0.5 โวลต์ เป็นเวลา 30 นาที จากนั้นนำขั้วไฟฟ้าไปเผา ที่อุณหภูมิ 500 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 1 ชั่วโมง จะได้ขั้วไฟฟ้าทังสเตนออกไซด์บนกระจกนำไฟฟ้า (Tungsten oxide: WO3) 1.2 การเตรียมฟิล์มบางบิสมัทวานาเดต (Bismuth vanadate: BiVOq) บนผิวทังสเตนออกไซด์ ด้วยเทคนิค           การจุ่มเคลือบ                 เริ่มจากการเตรียมสารละลายบิสมัทไนเตรท เพนตะไฮเดรท (Bismuth nitrate penta hydrate: (Bi(NO3)3*5H2O) ความเข้มข้น 0.2 โมลต่อลิตร ในกรดอะซิติก (Acetic acid) ผสมกับสารละลาย วานาดีลอะเซททีลอะซิโตเนท (Vanadyl Acetylacetonate: C10Hi4O5V) ความเข้มข้น 0.2 โมลต่อลิตร ใน สารละลายอะเซททีลอะซิโตน (Acetyl acetone: C5H8O2 ) จากนั้นนำขั้วไฟฟ้าทังสเตนออกไซด์ (Tungsten oxide :WO3) ที่เตรียมได้จากข้อ 1 มาจุ่มเคลือบลงในสารละลายที่เตรียมได้ดังกล่าว แล้วอบที่อุณหภูมิ 150 องศาเซลเซียส จากนั้นนำไปเผาที่อุณหภูมิ 500 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 1 ชั่วโมง จะได้ขั้วไฟฟ้า ทังสเตนออกไซด์/บิสมัทวานาเดต บนกระจกนำไฟฟ้า (Tungsten oxide/Bismuth vanadate: WCVBiVOij) ตามต้องการ 1.3 ขั้นตอนการประกอบเซลล์โฟโตอิเล็กโตรคะตะไลติกสำหรับการผลิตออกซิเจนและกำจัดเชื้อจุลินทรีย์              การต่อขั้วไฟฟ้าทังสเตนออกไซด์/บิสมัทวานาเดต (1) ที่ขั้วไฟฟ้าบวก (ขั้วไฟฟ้าแอโนด) ต่อขั้วไฟฟ้า ทองเหลือง (2) ที่ขั้วไฟฟ้าลบ (ขั้วไฟฟ้าแคโทด) ให้แสงที่ขั้วไฟฟ้าแอโนดด้วยหลอดไฟ (3) ควบคุมค่าศักย์ไฟฟ้า คงที่ที่ 4 โวลต์ด้วยเครื่องกำเนิดศักย์ไฟฟ้า (4) ในสารละลายอิเล็กโตรไลต์(5)ที่มีล่วนผสมของโซเดียมซัลเฟต ความเข้มข้น 0.1 โมลต่อลิตร และสารละลายเชื้ออิโคไล {E. coll) ที่ความเข้มข้นเริ่มต้นเท่ากับ 4.32 X 1010 CFU/ml แล้วติดตามการเพิ่มขึ้นของออกซิเจนด้วยเครื่องดีโอมิเตอร์ (DO meter) และ สุ่มตัวอย่างทุกๆ 15 นาที เพื่อนำไปเพาะเชื้อ และติดตามปริมาณเชื้ออิโคไลที่เหลืออยู่ในระบบตามช่วงเวลาต่างของการกำจัด                               หน้า 2 ของจำนวน 2 หน้า 2. กระบวนการพัฒนาเซลส์โฟโตอิเล็กโตรคะตะไลติกสำหรับเพิ่มปริมาณออกซิเจน และกำจัดเชื้อจุลินทรีย์ใน น้ำ ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่ง สภาวะที่เหมาะสมในการเตรียมขั้วไฟฟ้าทังสะเตนออกไซด์ (Tungsten oxide: W(O3) บนกระจกนำไฟฟ้า (Fluorine doped tin oxide: FTO) ด้วยวิธีทางเคมีไฟฟ้า โดยการควบคุม ศักย์ไฟฟ้าคงที่ ที่ -0.5 โวลต์เป็นเวลา 30 นาที แล้วนำไปเผาที่อุณหภูมิ 500 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 1 ชั่วโมง จากนั้นนำขั้วไฟฟ้าที่ได้จากการเผาเรียบร้อยแล้วไปจุ่มในสารละลายบิสมัทวานาเดต (Bismuth vanadate: BiVOd) ความเข้มข้น 0.1 โมลต่อลิตร จำนวน 1 รอบ จากนั้นนำไปอบที่อุณหภูมิ 150 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 5 นาทีแล้วนำไปเผาที่อุณหภูมิ 500 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 1 ชั่วโมง จะได้ขั้วไฟฟ้าทังสเตนออกไซด์/บิสมัท วานาเดต (Tungsten oxide/Bismuth vanadate: WCVBiVOd) เพื่อนำไปใช้เป็นขั้วไฟฟ้าแอโนดในเซลล์ โฟโตอิเล็กโตรคะตะไลติก โดยต่อร่วมขั้วขั้วไฟฟ้าแคโทดทองเหลือง ควบคุมศักย์ไฟฟ้าที่ 4 โวลต์ ภายใต้การ กระตุ้นด้วนแสงช่วงตามองเห็นที่ขั้วไฟฟ้าแอโนด พบว่าสามารถเพิ่มค่าการละลายได้ของออกซิเจน (DO) ในน้ำ ได้ถึง 4.7 มิลลิกรัมต่อลิตรในเวลา 1 ชั่วโมง และสามารถกำจัด เชื้ออิโคไลได้ถึง 99 เปอร์เซ็นต์ในเวลาครึ่ง ชั่วโมง